Міністерство науки та освіти України
ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
Факультет фізики, електроніки та комп’ютерніх систем
Кафедра
радіоелектроніки
КУРСОВА РОБОТА ЗА СПЕЦІАЛЬНІСТЮ
НА ТЕМУ:
«Синтез і дослідження оксидно-ідієвої кераміки з неомічною провідністю»
Дніпропетровськ 2009
Реферат
У роботі описані, робота виходу електрона, основні принципи вимірювання роботи виходу електрона. Окремо сконцентровано увагу на методі Кельвіна.
Вступ
Перед тим як розглядати оксидно-індієву кераміку, потрібно розглянути термін кераміка, її види, значення та ознайомитись з особливостями Індію.
Традиційним терміном кераміка називають вироби і матеріали, отримані спіканням глин, їх сумішей з мінеральними добавками, оксидів, інших неорганічних з’єднань та їх сумішей. Спікання представляє собою процес ущільнення пористого твердого тіла в області температури, при якій весь об’єм речовини ще не перетворюється в розплав [12]. При цьому ущільнення може бути як твердо фазним, так і відбуватися при участі рідкої фази.
За функціональним призначення розрізняють декоративну і технічну кераміку. За хімічними ознаками кераміку поділяють на два великих класи: оксидну та безкисневу кераміку.
Безкиснева кераміка формується на базі порошків безкисневих неметалічних тугоплавких з’єднань (боридів, карбідів, нітридів) [6]. Виходячи з характеру взаємодії керамічних виробів з навколишнім середовищем при їх експлуатації безкиснева кераміка може бути розділена по областям застосування на дві групи [6]: матеріали, що беруть участь в процесах передачі, регулювання або перетворення різних видів енергії (діелектричні, напівпровідникові, резистивні, поглинаючі, електродні) і конструкційні керамічні матеріали, пасивно сприймаючі різного роду механічні і термічні навантаження, а також дію хімічно агресивних середовищ без зміни складу, структури та особливостей матеріалу (жаростійкі, зносостійкі, вогнестійкі, хімічно стійкі матеріали).
Керамічні матеріали завоювали стійкі позиції в електронній техніці і призначаються для виготовлення резисторів з від’ємним і додатнім температурним коефіцієнтами опору, чуттєві елементи сенсорних пристроїв, варисторів, п’єзоелектричних елементів, корпусів і підкладок інтегральних схем та інших об’єктів [6].
Цікавість до оксидно-індієвої кераміки виникла з потреби змін властивостей варисторної кераміки, яка застосовується для виготовлення варисторів.
Варистор (vari(able) (resi)stor - змінний резистор) - напівпровідниковий резистор, електричний опір (провідність) якого нелінійно залежить від прикладеної напруги, тобто він має нелінійну вольт-амперну характеристику і має два виводи. Варистори використовуються для стабілізації та регулювання низькочастотних токів та напруг, високовольтні варистори використовують як запобіжники перенапруг. Щоб у цьому переконатися достатньо поглянути на вольт-амперні характеристики деяких розповсюджених типів варисторів на основі оксиду цинку та карбіду кремнію, ВАХ представлена на рис. 1.
Рис. 1. Вольт-амперні характеристики варисторів: сині — на основі ZnO, червоні — на основе SiC.
Як видно з ВАХ варисторів на основі оксиду цинку, при зміні значень сили струму – напруга залишається сталою.
Нелінійність характеристик варисторів зумовлена локальним нагрівом дотичних граней багато численних кристалів матеріалу кераміки (напівпровідникового). При локальному збільшенні температури на границях кристалів, їх опір знижується, що призводить до зменшення спільного опору варисторів.
Один з основних параметрів варистора – коефіцієнт нелінійності λ – відношення його статичного опору R до динамічного опору Rd
:
,
Коефіцієнт нелінійності у варисторов на основе ZnO - 20-100.Температурний коефіцієнти опору варистору – від’ємна величина.
Дослідження неоднорідних напівпровідників з неомічною провідністю представляє цікавість для створення нових нелінійних елементів. Для цього корисно використовувати принципи та ідеї, що лежать в основі існуючих приладів, наприклад розглянутих вище, керамічних оксидних варисторів.
Для отримання оксидно-цинкової варисторної кераміки с різкою над лінійною залежністю струму від напруги, використовують невеликі добавки оксидів з великим іонним радіусом до основного оксиду з провідністю n-типу (оксид цинку), так що при спіканні у повітряному середовищі на границях зерен (ГЗ) ZnO формуються потенційні бар’єри. При цьому часто використовують добавки оксиду вісмуту і деякі інші оксиди. Результати дослідів свідчать про те, що потенціальні бар’єри на ГЗ обумовлені збідненням при поверхневих шарів зерен ZnO основними носіями заряду.
Тому для створення варисторної кераміки з особливостями, відмінними від особливостей традиційної оксидно-цинкової кераміки, виникає цікавість заміни оксиду цинку на інший оксид. С цією ціллю отримана кераміка на основі оксиду індію с додатком оксиду вісмуту, а також кераміка з додаванням оксиду стронцію. Однак встановлено, що вольт-амперні характеристики отриманих зразків та відомої оксидно-цинкової кераміки принципово відрізняються.
1. Одержання оксидної кераміки
Технологія одержання оксидної кераміки майже однакова, незалежно від типу оксиду у її складі. Далі буде розглянуто отримання оксидно-цинкової кераміки. Сировиною для виготовлення оксидно-цинкової кераміки служать, як правило, порошки оксидів металів. Щоб отримати високий коефіцієнт не лінійності майбутнього зразка до складу основного оксиду додають оксид вісмуту і оксид кобальту (чи марганцю). Також відома система з високим коефіцієнтом не лінійності ZnO – Pr6
O11
– Co3
O4
[38]. Ці дві системи отримали найбільше використання для виготовлення високо нелінійних варисторів. Комерційні склади окрім вказаних добавок містять ряд оксидних домішок, що впливають на класифікаційну напругу, не лінійність ВАХ в області сильних струмів, провідність в слабкому електричному полі, стабільність та інші властивості керамічних варисторів.
Процес виготовлення не омічної оксидної кераміки включає наступні етапи: важення оксидів в заданій пропорції, виготовлення однорідної суміші шляхом мокрого помолу, висушування отриманого шлікеру, пресування заготовок, спікання заготовок на повітрі при повільному підйомі температури до 1400 – 1600 К, витримці на визначений час при тій же температурі і повільному охолодженні заготовок до кімнатної температури та нанесення електродів. Реальний процес отримання кераміки для варисторів являється більш складним і містить додаткові операції. Електричні параметри кераміки сильно залежать від обраного хімічного складу і технологічного режиму на всіх етапах отримання кераміки.
Важливе значення має хімічний склад обраних оксидів. Відхилення від стехіометрії і надлишкові домішки можуть погіршити електричні властивості кераміки і зробити неможливим отримання потрібних параметрів варисторів. Хоч в керамічній технології пред’являються менш жорсткі потреби до чистоти отримуваної сировини, ніж в технології інтегральних схем, виробництво кераміки для варисторів являється напівпровідниковим з усіма випливаючи ми обставинами по відношенню до організації, наукового забезпечення та наукового супроводу такого виробництва. У вихідному оксиді цинку слід прагнути зменшити відхилення від стехіометричного відношення. В противному випадку отримана кераміка буде мати підвищену провідність. В зв’язку з цим виникає цікавість в розробці методів діагностики придатності оксидів для виготовлення з них варисторів. Важливий контроль степені стехіометрії, дисперсності оксидів і відсутності в них шкідливих домішок.
Приготування сумішей оксидів проводять частіше в кульових мельницях (обертаються циліндри, в середині яких знаходяться змішувані оксиди, дистильована вода або інша рідина та розмелюючи тіла з твердого матеріалу). Режим цієї технологічної операції впливає на властивості кераміки [3].
Дисперсність вихідних порошків оксидів (розмір часток і характер розподілу часток по розміру) представляється важливим фактором забезпечення однорідності суміші основного оксиду з домішковими оксидами. Без досягнення однорідності суміші оксидів не вдається отримати кераміку, придатну для використання в якості варисторного матеріалу. Наслідком неоднорідності хімічного складу суміші оксидів являється неоднорідність електричних властивостей кераміки, в результаті чого в процесі експлуатації варисторів виникає електричне і теплове перевантаження локальних областей і прискорюється деградація варисторів.
Вихідний порошкоподібний оксид характеризується помітною тенденцією до злипання дисперсних часток, що видно при спостереженні порошку у растровому електронному мікроскопі при достатньо великому збільшенні [39]. Причиною злипання часток оксиду слугує тенденція дисперсної системи до мінімізації вільної енергії поверхні завдяки дії сил тяжіння між колоїдними частинками. Це явище не дозволяє відбуватися гомогенізації суміші оксидів. Для підтвердження існування взаємодії між високодисперсними частинками оксидів на рис.1.1 представлено розподілення часток оксиду цинку по розміру, отримане методом розсіяння лазерного випромінювання на приладі ANALYSETTE – 22.
Рис.1.1. Розподіл часток ZnO по розміру до (1) та після ультразвукової обробки (f = 40кГц, звукова потужність 110 Вт) на протязі двох хвилин (2)
Вихідна суспензія оксиду цинку в воді характеризується постійним розподілом розміру часток в вивченому інтервалі 1-100 мкм (гістограма «1» на рис.1.1), хоч часточки оксиду цинку, по даним електричної мікроскопії, мають розміри, не перевищуючі одного мікрометра. Ультразвукове диспергування зменшує долю часток з проміжними розмірами, але не впливає на існування великих часток, які являються стійкими агрегатами, що складаються з більш менших часток (гістограма «2» на рис.1.1).
Умови і режими пресування заготовок кераміки впливають на властивості отримуваних матеріалів [3,5]. В особливості, класифікаційна напруга і коефіцієнт не лінійності зразків кераміки на основі ZnO залежать від тиску пресування заготовок [40].
В процесі спікання пресованої суміші оксидів виникають складні фізико-хімічні процеси, багато аспектів яких продовжують досліджуватись. Розглянемо основні явища, виникаючі при спіканні суміші для прикладу ZnO – Bi2
O3
– Sb2
O3
– Co3
O4
– MnO2
.
При нагріванні заготовки до температур 670-770 К виникає твердо фазна взаємодія ZnO і Bi2
O3
зі створенням фази ZnO. 24 Bi2
O3,
на формування йде весь оксид вісмуту низькотемпературної α – модифікації. В області температур 920 – 970 К, завдяки реакціям в твердому стані, створюється фаза з структурою шпінелі Zn7
Bi3
Sb3
O14
[42]. В області температур 1170 К виникає перехід Co3
O4
виділенням кисню в стійкий при високих температурах оксид CoO, де кобальт знаходиться в двовалентному стані. В результаті цього кобальт починає інтенсивно розчинятися в решітці оксиду цинку. Цей процес відповідний за створення глибоких рівнів в оксиді цинку і зелене забарвлення готової кераміки. В цій же області температур проходить плавлення фази с структурою пирохлора, ідентифікуєме методом високотемпературної рентгенівської дифракції. Поява рідкої фази інтенсифікує процес усадки (ущільнення) заготовки. Для ілюстрації цього процесу на рис.1.2 приведені результати дилатометрії спікаємої заготовки, показуючи різке зменшення лінійних розмірів спікаємої заготовки в вузькому температурному інтервалі.
Рис. 1.2. Залежність зміни розміру заготовки ZnO - Bi2
O3
– Sb2
O3
– Co3
O4
– MnO2
– Cr2
O2
від температури (дилатометрична крива)
Ці дані дозволяють вважати процес спікання оксидної кераміки рідко фазним. При подальшому нагріванні в спікаємій заготовці спостерігається лише дві кристалічні фази: ZnO та фаза з структурою шпінелі. Після помітної усадки спікаємого зразка різко інтенсифікується процес рекристалізації оксиду цинку, в результаті якого монокристалічні частки оксиду цинку с розміром порядку десятих долей мікрометра (рис.1.1) виростають в зерна оксиду цинку розміром 5-30 мкм за рахунок переносу речовини від дрібних частин з великою поверхневою енергією до великих частин з меншою поверхневою енергією.
При охолодженні до температур біля 1220 К виникає перехід рідкої фази на основі Bi2
O3
в тверді фази: кристалічну фазу з структурою полі хлору і аморфну фазу на основі Bi2
O3.
Аморфна фаза може розпадатися з утворенням, в залежності від температурного режиму, фази ZnO. 24 Bi2
O3
або високотемпературних модифікацій оксиду вісмуту β-Bi2
O3
, α-Bi2
O3
, опиняючихся стабільними і при низьких температурах завдяки розчинених в них другим атомам. Самі по собі процеси фазо створення без обліку ролі кисню зовнішнього середовища ще не вичерпують суті явищ, виникаючих при охолодженні спікає мого зразка. Принципово важливим є насичення границь зерен (ГЗ) оксиду цинку киснем, в результаті чого створюються потенційні бар’єри, визначаючі електрофізичні властивості оксидної кераміки.
2. Методика дослідження оксидно-індієвої кераміки
Зразки кераміки In2
O3
-SrO та In2
O3
-Bi2
O3
отримані по традиційній керамічній технології. Змішування оксиду індію In2
O3
з додаванням SrCO3
та Bi2
O3
проводилось з використанням дистильованої води. Після сушки шлікера при температурі 400 К пресувались заготовки при тиску 46 МРа. Обпалювання заготовок виповнюється на повітрі при збільшенні температури з швидкістю 300 К/год. До температури обпалювання (Тобп
), яка складає 1370 К у випадку In2
O3
-Bi2
O3
та 1270 К для In2
O3
-SrO. Після витримки при Тобп
протягом 1 години (In2
O3
-Bi2
O3
) чи двох годин (In2
O3
-SrO) заготовки охолоджуються разом з піччю з швидкістю приблизно 300 К/год. На пласку поверхню спечених заготовок наносяться електроди. В якості електродів застосовують: евтектика In-Ga (для In2
O3
-SrO) і Ag-паста, не потребуюча термообробки (для In2
O3
-Bi2
O3
). Для In2
O3
-Bi2
O3
ефект обмеження спостерігався також і при використанні евтектики In-Ga та Al-пасти, випалюваної на повітрі при 870 К.
ВАХ на постійному струмі вивченні (джерела типу ТЕС 41 і ТВ1 і універсальні вольтметри В7-21) при збільшенні і зменшенні напруги. При досліді зразків в різній степені був помічений гістерезис ВАХ. В ряді випадків спостерігалась залежність струму від часу. Тому використовують два способи регістрації ВАХ. В одному із них фіксують значення струму, отримані в перший момент після встановлення напруги і після 30 секунд після подачі напруги, а потім напруга змінювалась. Для порівняння при другому способі регістрації ВАХ фіксують встановлене значення струму після достатньо тривалій витримці зразку під незмінною напругою. При цьому спостерігали задовільно якісне спів падання ВАХ, отриманих при обох способах регістрації.
Для вивчення товщинної залежності опору спочатку знімають ВАХ зразку In2
O3
-Bi2
O3
з In-Ga електродами, а потім шлифкової зменшують його товщину, знову наносять In-Ga електроди і повторюють регістрацію ВАХ. Щоб зменшити можливий вплив крупно масштабної неоднорідності кераміки на досліджувану залежність струму, на кожному етапі зшліфовували один і той же шар зразку.
3. Дослідження оксидно-індієвої кераміки
На рис.1 приведені ВАХ зразків кераміки
O3
-Bi2
O3
. ВАХ містить лінійну область при малих напругах, вслід за якою наступає довга частина, де струм зростає менше ніж напруга. У даному випадку на нелінійній частині ВАХ коефіцієнт не лінійності b=(U/I)(dI/dU)= 0,4 при U= 500 B. Значення b<1 визначає прояв ефекту обмеження струму. ВАХ має деякий гістерезис.
Спостерігались відносно малі зміни струму з часом, але форма ВАХ мало відчутна до таких змін. На деяких зразках In2
O3
-Bi2
O3
при фіксованій напрузі спостерігаються низькочастотні (0,2-2 Гц) коливання з амплітудою ~ 25 % від величини струму. Природа цих коливань поки що невідома.
Рис. 3.1. Вольт-амперна характеристика зразка кераміки In2
O3
– Bi2
O3
, знята двічі при збільшенні (1,3) і зменшенні (2,4) напруги.
Дані рис.3.1 не дозволяють відповісти на питання про те, чи контролюється опір зразку особисто його об’ємом чи приелектродними областями. Для з’ясування цього досліджені ВАХ зразку In2
O3
-Bi2
O3
приваріації його товщини. В крайньому випадку, лінійні частини ВАХ незначно змінюються при варіації товщини зразку в границях 1,3-7,4 мм. Це означає, що опір зразку на лінійній частині ВАХ контролюється скоріше приелектродною областю, ніж об’ємом. Тому при поясненні причини нелінійності ВАХ (рис.3.1) слід враховувати створення приелектродної області підвищеного опору. Імовірно, це має місце для різних електродів, хоча, можливо, і в різній степені.
Представляє цікавість розглянути також ВАХ структур на основі In2
O3
з іонними добавками. З цією ціллю досліджені ВАХ структур на основі оксиду індію з добавками оксиду стронцію.
На рис.3.2 приведені залежності струму від напруги, отримані при збільшенні (крива 1) і зниженні (крива 2) напруги. Встановлено, що струм при фіксованій напрузі не являється суворо постійним, а залежить від часу. Тому на рис.3.2 для кривої 1 і кривої 2 при кожному значенні напруги вказані два значення струму, які отримані зразу після встановлення напруги і після 30 секунд. Помічено, що при малих напругах струм зростає з часом, а при напрузі вище порогового значення U³Uпор
@10 B струм зменшується з часом. Це видно з ходу суцільної лінії на рис.3.2, яка з’єднує точки, отримані в хронологічному порядку. На кривій 1 (рис.3.2) є лінійна частина (I~U), частина надлінійного зростання струму з напругою (I~Ub
b>1), який в інтервалі 10-30В змінюється частиною спаду струму при зростанні напруги. При зменшенні напруги (крива 2 на рис.3.2) струм слабо залежить від напруги в області 10-30 В, а при менших напругах струм знижується приблизно пропорційно напрузі. Таким чином, помічено складне падіння струму в функції напруги, причому основною особливістю являється ефект обмеження струму.
Рис.3.2. Залежність струму від напруги для зразка кераміки In2
O3
– SrO, отримана при підвищенні (1,3,5) і зниженні (2,4,6) напруги.
Напруга фіксується на протязі 30с. криві (1 і2), а також вимірюється спочатку і вкінці кожного такого інтервалу. Криві 3 і 4 (зняті після кривих 1 і 2) – встановлене значення струму через 600 с. після подачі фіксованої напруги на зразок. Для ясності точки, отримані в хронологічному порядку, з’єднані лінією. Криві 5 і 6 отримані після регістрації струму, відповідаю чому кривим 3 і 4.
Настільки нетривала поведінка струму з напругою для структур на основі In2
O3
-SrO могло б бути просто наслідком вимірів в нестаціонарних умовах. Щоб виключити таку ймовірність була знята часова залежність струму при різних фіксованих напругах (рис.3.3). Як видно, при малих напругах (криві 1 і 2) струм зростає з часом. При U=10 В (крива 3 рис.3.3) і більш високих напруг (криві 4 і 5) струм з часом зменшується.
Рис.3.3. Залежність струму від часу при фіксованих значеннях напруги, подаваємої на зразок в такій послідовності, В: 1-1; 2-5; 3-10; 4-15; 5-25; 6-15; 7-10; 8-5; 9-1
Характер часової залежності струму, представленій на рис.3.3 (криві 1-5) взаємозгоджується з часовою залежністю струму, що знаходиться на рис.3.2 (крива 1). Встановлені значення струму, отримані на рис.3.3 (криві 1-5), використані для побудови ВАХ на рис.3.2 (крива 3). Як видно, форма ВАХ, отримана по встановленим значенням струму (рис.3.2, крива 3), задовільно співпадає з формою ВАХ, отриманій при короткочасній (30с.) витримці зразку при кожному значенні напруги (рис.3.2, крива 1).
Таким чином, встановлено, що для досліджуваних зразків кераміки характерна аномалія електропровідності у вигляді частини обмеженого струму і навіть частини спаду струму з напругою.
При зменшенні напруги струм з часом зростає при напругах в діапазоні 15-5 В (рис.3.3, криві 6-8) і знижується при малих напругах (рис.3, крива 9). Відповідна ВАХ, побудована по встановленим значенням струму (крива 4 на рис.3.2), задовільно співпадає з кривою 3 на рис.3.2.
Такий характер часової залежності струму зберігається, якщо напругу на зразок подавати в послідовності: 25В, 15В, 10В, 5В, 1В с достатнім (10 хв.) інтервалом між вимірюваннями. При цьому струм знижується з часом при U=25B, але наростає з часом при подачі напруги від 15 до 5 В і слабо знижується при U=1В. Як наслідок, властивості зразку залежать від його електричної передісторії, що може бути зв’язано зі зміною заповнення локалізованих станів при достатньо великих напругах і збереженням такої ситуації при зниженні напруги до нуля. При послідуючій подачі на зразок меншої напруги виникає поступова релаксація струму.
Після вивчення часової залежності струму (рис.3.3) знову була знята ВАХ в режимі короткочасної фіксації напруги (рис.3.2, криві 5 і 6). Як видно, ВАХ до (криві 1 і 2 на рис.3.2) і після (криві 5 і 6 на рис.3.2) відносно довготривалої дії напруги задовільно співпадають.
Частина обмеження і зниження струму якісно повторюється для інших зразків. Встановлено також, що форма ВАХ чутлива до матеріалу електроду і способу його створення. Тому спостережені результати, ймовірно, обумовлені проявом приелектродних потенційних бар’єрів, один з яких, включений в запірному напрямі, і контролює струм через зразок.
ВАХ зразків на основі In2
O3
с додаванням оксиду вісмуту (рис.3.1) і оксиду стронцію (рис.3.2) відрізняються, на перший погляд, дуже суттєво. Однак обом зразкам характерна спільна особливість – при підвищенні напруги вище деякої порогової величини Uпор
(слабо вираженої на рис.3.1 і більш чітко вираженій на рис.3.2 (Uпор
@10В)) зростання струму з напругою суттєво уповільнюється (рис.3.1) або навіть змінюється спадом струму з напругою (рис.3.2). Таким чином для структур на основі оксидно-індієвої кераміки незалежно від використаної добавки і типу електродів характерна поява при досягненні деякого електричного поля процесів, відповідальних за обмеження струму. Саме розуміння цього механізму представляє основну цікавість. Цей механізм, працює на фоні ряду інших процесів, які визначають електропровідність досліджуваних структур, і призводить до варіабельності їх ВАХ в залежності від деталей технологічного процесу.
Механізм обмеження струму в досліджуваних структурах зв’язаний з формуванням при їх виготовленні приелектродних областей підвищенного опору, тобто з появою відповідних потенційних бар’єрів. При цьому особливістю такого потенційного бар’єру на контакті являється прояв при деякій напрузі процесів захоплення основних носіїв заряду (електронів), що викликає зростання висоти бар’єру і обмеження зростання струму з напругою [5]. Імовірно, така особливість приелектродного бар’єру визначається природою кераміки на основі In2
O3
.
Пороговий характер механізму обмеження струму можна пояснити, наприклад, тим, що захоплення носіїв (і відповідаючи гальмування падіння висоти бар’єру) проявляється, коли висота бар’єру опиняється в достатній мірі зменшується під дією прикладеної напруги. Бар’єр веде себе як бар’єр біля центру з екранованим кулонівським потенціалом. Можна вважати, що з врахуванням сил зображення форма бар’єру на контакті відмінна від параболічної. В результаті впливу ефекту Шотткі висота бар’єру зі зростом напруги зижується і при невеликих напругах з’являється надлінійний зріст струму з напругою (рис.3.2). Коли висота бар’єру стане достатньо малою (а струм через бар’єр опиниться достатньо великим), захоплення електронів на стані контакту стає суттєвим. Це визначає тенденцію збільшення висоти бар’єру. В результаті чого зріст струму з напругою уповільнюється і спостерігається частина обмеження струму. Однак такий механізм декілька по-різному проявляється для двох типів досліджуваних структур, ВАХ яких представлені на рис.3.1 і 3.2.
Для структур на основі In2
O3
-Bi2
O3
(рис.3.1) характерний слабкий ріст струму до вельми великих падінь напруг на зразку. Вірогідно в цьому випадку частина напруги падає також на об’ємі кераміки. Добавка Bi2
O3
в цьому випадку, як і в випадку кераміки ZnO [4], може стимулювати формування потенційних бар’єрів на багато численних ГЗ оксиду Індія. Більш того, на границях зерен може виникати захват електронів і відповідне зростання висот бар’єрів. Це і пояснює досить великий опір таких зразків.
Для структур на основі In2
O3
-SrO (рис.3.2) порогові напруги невеликі (одиниці вольт), струм обмежується і спостерігається частина з від’ємною диференційною провідністю (ВДП). Подібна особливість ВАХ спостерігалась для структур на основі кераміки BaTiO3.
Механізм ВДП, оснований на виникаючому при збільшенні напруги взаємному зміщенні по енергії заповнених і порожніх станів, розміщених по різні сторони геометричної границі зерен, в нашому випадку представляється малоймовірним.
Для здійснення ефекту ВДП (рис.3.2) можна спробувати використати представлення про формування домену сильного електричного поля [7].При такому підході враховується створення приелектродних областей просторового заряду. Тому при розробці механізму появи статичного домену сильного поля можуть бути корисними розглянуті вище якісні представлення про бар’єр з захопленням. Однак, не слід поки виключати можливості безпосереднього пояснення ефекту ВДП в моделі бар’єру з захопленням враховуючи деяких доповнюючи факторів, наприклад, падіння напруги в об’ємі, особливості електронної будови бар’єру, просторової локалізації захопленого від’ємного заряду та ін..
Таким чином, ефект обмеження струму в структурах на основі кераміки In2
O3
-Bi2
O3
і In2
O3
-SrO обумовлений захопленням електронів на стани контакту або в області просторового заряду.
4. Обмеження та осциляції струму в напівпровідниковій кераміці
In2
O3
-Bi2
O3
Оксидно-індієва кераміка з певними домішками має сублінійну вольт-амперну характеристику (ВАХ), на якій із збільшенням напруги зростання струму сповільнюється і спостерігається ділянка обмеження струму [1-3]. Для оксидно-індієвої кераміки з домішкою оксиду вісмуту ефект обмеження струму супроводжується пульсаціями струму, з частотою » 0,2-2 Гц, що виникають при постійній напрузі на зразку [4]. В роботі розглянуто електричні властивості кераміки системи In2
O3
-Bi2
O3
.
Ефект низькочастотних коливань при постійній напрузі на зразку має місце незалежно від матеріалу електродів та вмісту добавки Bi2
O3
(у дослідженому діапазоні кількість добавки впливає лише на величину граничної напруги, з якої починається обмеження струму). На рис.4.1 наведено приклади ВАХ зразків кераміки системи In2
O3
-Bi2
O3
із різними електродами. Як видно з рисунка, ефект обмеження струму має місце для усіх наведених типів електродів. В області напруг, де є обмеження струму (на рис.1 це U>100 В) ВАХ побудовано за середнім значенням величини струму, крім ВАХ, представлених кривими 5 і 6.
ВАХ зразків кераміки In2
O3
-Bi2
O3
умовно можна розділити на три області (див. рис.4.1): 1 - область, де виконується закон Ома, 2 - область появи ефекту обмеження струму й виникнення коливань струму (приблизно від 60 до 110 В) і 3 - область, де постійний струм i амплітуда коливань струму з ростом напруги практично не змінюються.
Рис.4.1. ВАХ зразків кераміки In2
O3
-Bi2
O3.
1 - область, де виконується закон Ома, 2 - область появи ефекту обмеження струму й виникнення коливань струму, 3 - область, де постійний струм i амплітуда коливань струму з ростом напруги практично не змінюються.
Для більш докладного дослідження коливань струму були зняті часові залежності струму I=I(t) для різних значень постійної напруги. Часові залежності було зареєстровано фотографуванням, з 10 секундною витримкою, екрана осцилографа, на якому відображався процес пульсації струму, при прикладанні до зразка постійної напруги. Кілька з них наведено на рис. 2.
Рис.4.2. часові залежності струму I=I(t) для різних значень постійної напруги зразків кераміки In2
O3
-Bi2
O3
На залежностях струму від часу, знятих в області напруг, які відповідають ділянці 1 ВАХ, величина струму від часу не залежить і коливань не спостерігається, наприклад, часова залежність при 50 В (пряма лінія на рис.4.2). При прикладанні напруг, що відповідають ділянці 2 ВАХ, можна бачити процес появи коливань. Спочатку при досягненні порогової напруги виникають майже синусоїдальні коливання (синусоїда на рис. 4.2, відповідає напрузі 60 В). Потім із ростом напруги плавно зростає амплітуда коливань струму, з’являються синусоїдальні коливання з іншою частотою, як це видно з часових залежностей для 70 і 80 В на рис.4.2.
Таким чином форма коливань змінюється від синусоїдального моногармонічного коливання (із частотою »1,75 Гц) до полігармонічного (i, можливо, навіть проявляється стохастичність коливального процесу), при цьому основна частота коливань зростає. Амплітуда коливань струму плавно зростає до 20 % від середньої величини струму. В області напруг, які відповідають ділянці 3 ВАХ, форма й частота коливань струму практично не змінюються з ростом напруги. Характерний вигляд коливань у цій області напруг демонструє часова залежність для 150 В (рис.4.2). Амплітуда ж коливань, проходячи через максимум при 200 В, із ростом напруги навіть дещо зменшується, як це видно з рис.4.3, де для кожної часової залежності було знайдено різниця між максимальною та мінімальною густиною струму.
Рис.4.3. Залежність напруги від густини струму.
На всіх досліджених зразках ефект обмеження струму завжди супроводжують коливання струму. Тому можна припустити, що це взаємозв´язані явища і пояснюються вони на підставі єдиного механізму електропровідності. Коливання, ймовірно, викликані захопленням носіїв заряду на деяких межах зерен (МЗ), що веде до зменшення струму i збільшення падіння напруги на ключових потенціальних бар’єрах, зростання польової емісії електронів із локалізованих станів та відповідного зменшення висоти бар’єрів та збільшення струму. Зростання амплітуди коливань призводить до прояви нелінійності ВАХ i процес перестає бути гармонічним, що пояснює зміну форми коливань струму, яка спостерігається при збільшенні напруги в області ділянки 2 ВАХ.
Список викоростанних джерел
1. Stolichnov I., Tagantsev A.. J.Appl.Phys., 1998,V.84,No.6, p.3216-3225.
2.Глот А.Б., Бондарчук А.Н. Неорганические материалы.,1999,т.35,N5,c.637-640.
3. Matsuoka M. Advances in Varistor Technology. Ceramic Transactions.,1989,V.3, Ed. by L.M.Levinson,,p.3-9.
4.Glot A.B. Advances in varistor Technology., 1989,V.3, Ed. by L.M.Levinson, p.194-203.
5. Гольдман Е.И., Ждан А.Г.,ФТП,1976,т.10,№10, с.1839-1845.
6. T.R.N.Kutty, V.Ravi. Materials Science and Engineering, 1994, B25,119-131.
7. Бонч-Бруевич В.Л, Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. - Москва: Наука,1972.