РефератыФизикаОпОпределение точного коэффициента электропроводности из точного решения кинетического уравнения

Определение точного коэффициента электропроводности из точного решения кинетического уравнения

В.Кинетические Свойства



§ 6. Кинетическое уравнение


Носители заряда в металле или полупроводнике могут подвергаться действию внешних полей и градиентов температуры. Они также испытывают рассеяние на примесях, колебаниях решетки и т. д. Эти эффекты должны быть сбалансированы — нас интересуют такие ситуации, в которых электрон ускоряется полем, но при рассеянии теряет избыточные энергию и импульс. В этой главе мы рассмотрим «обычные» кинетические свойства, наблюдаемые при наложении постоянных полей.


Общий метод решения этой задачи основан на кинетическом уравнении,
или уравнении Болъцмана.
Мы рассматриваем функцию fk
(r) — локальную концентрацию носителей заряда в состоянии k в окрестности точки r. Строго говоря, эту величину можно определить только в терминах мелкозернистых распределений, средних по ансамблю, матриц плотности и т. д. Имеется обширная литература по этому вопросу, но она относится скорее к формальному аппарату квантовой статистической механики, чем к теории твердого тела.


Посмотрим теперь, какими способами функция fk
(r) может изменяться во времени. Возможны процессы трех типов:


1. Носители заряда приходят в область пространства вблизи точки r и уходят из нее. Пусть vk
— скорость носителя в состоянии k. Тогда в течение интервала времени t
носители заряда в этом состоянии пройдут путь t
vk
. Следовательно, на основании теоремы Лиувилля об инвариантности фазового объема системы число носителей в окрестности точки r в момент времени t
равно числу их в окрестности точки r – t
vk
в момент времени 0:


fk
(r, t
) = fk
(r – t
vk
, 0). (35)


Это означает, что скорость изменения функции распределения из-за диффузии
есть


¶fk
/¶t
]diff
= – vk
׶fk
/¶r = – vk
×Ñfk
. (36)


2. Внешние поля вызывают изменение волнового вектора k каждого носителя, согласно равенству



(37)


Величину можно рассматривать как «скорость» носителя заряда в k-пространстве, так что по аналогии с равенством (35) имеем


(38)


следовательно, под действием полей
функция распределения меняется со скоростью


(39)


(мы использовали здесь обозначение ¶fk
/¶k для градиента в k-пространстве — оператора Ñk
).


3. Влияние процессов рассеяния оказывается более сложным. Мы ограничимся здесь в основном упругим рассеянием. При этом функция fk
меняется со скоростью


¶fk
/¶t
]scatt
= ∫{ fk'
(1 – fk
) – fk
(l – fk'
)}Q(k, k') dk'. (40)


Процесс рассеяния из состояния k в состояние k' приводит к уменьшению fk
. Вероятность этого процесса зависит от величины fk
— числа носителей в состоянии k, и от разности (1 – fk
'
) — числа свободных мест в конечном состоянии. Имеется также обратный процесс, переход из k' в k, который ведет к увеличению функции fk
; он пропорционален величине fk
'
(1 – fk
). Очевидно, надо просуммировать по всевозможным состояниям k'. Для каждой пары значений k и k' существует, однако, «собственная» вероятность перехода Q
(k, k'), равная скорости перехода в случае, когда состояние k полностью заполнено, а состояние k' вакантно. Согласно принципу микроскопической обратимости,
та же функция дает и скорость перехода из k' в k, поэтому под интегралом появляется общий множитель.


Кинетическое уравнение выражает следующее: для любой точки r и для любого значения k полная скорость изменения функции fk
(r) равна нулю, т. е.


¶fk
/¶t
]scatt
+ ¶fk
/¶t
]field
+ ¶fk
/¶t
]diff
= 0. (41)


Отметим, что здесь рассматривается стационарное,
но не обязательно равновесное состояние.
Для последнего функция распределения обозначается через f0
k
, оно осуществляется только в отсутствие полей и градиентов температуры.


Допустим, однако, что рассматриваемое стационарное распределение не слишком сильно отличается от равновесного. Положим


gk
= fk
– f0
k
. (42)


где


f0
k
= 1/{exp[(E k
– z)/kT] + 1} (43)


Здесь нужно проявить некоторую осторожность. Именно, как определить функцию f0
k
в случае, когда температура зависит от координат? Будем считать, что в каждой точке можно корректно определить локальную температуру T(r),
и положим


gk(r)=fk
(r) – f0
k
{3T(r)}. (44)


Если введение локальной температуры вызывает затруднения, можно потребовать, чтобы окончательное решение удовлетворяло какому-либо дополнительному условию, например


ògk
(r)dk = 0. (45)


Подставляя выражение (42) в кинетическое уравнение (41) и используя равенства (7.2) и (7.5), получаем


– vk
׶fk
/¶r – e /ħ(E + 1/c[vk
´ H]) ׶fk
/¶k = – ¶fk
/¶t]scatt
, (46)


или


– vk
׶fk
/¶T ÑT – e /ħ(E + 1/c[vk
´ H]) ׶ f0
k
/¶k = – ¶fk
/¶t]scatt
+ vk
׶gk
/¶r + e /ħ(E + 1/c[vk
´ H]) ׶gk
/¶k. (47)


С помощью формулы (43) это уравнение можно переписать в виде


(¶f0
/¶E)vk
×{( E (k) – z) / T×ÑT + e (E – 1/e×Ñz)} = – ¶fk
/¶t]scatt
+ vk
׶gk
/¶r + e /ħc[vk
´ H] ׶gk
/¶k. (48)


Это — линеаризованное уравнение Больцмана. В нем опущен член (E׶gk
/¶k) порядка E2
, соответствующий отклонениям от закона Ома. Отброшен также член vk
[vk
´ H], тождественно равный нулю; в левую часть уравнения магнитное поле явно не входит.


Подставляя выражение (40) в уравнение (48), можно убедиться, что мы получили линейное интегро-дифференциальное уравнение относительно «добавки» gk
(r) к функции распределения. Функция gk
(r) определяется интенсивностью электрического поля и величиной градиента температуры, входящими в неоднородный член в левой части. Далее в этой главе мы будем отыскивать решения кинетического уравнения для различных случаев в порядке увеличения сложности.


§ 7. Электропроводность


Пусть на систему наложено только электрическое поле E, и в «бесконечной» среде поддерживается постоянная температура. С учетом выражения (40) получаем


(– ¶f0

/>/¶E)vk
×eE = – (¶f0
/¶t)]scatt
= ò(fk
– fk
¢
)Q(k,k¢)dk¢= ò(gk
– gk
¢
)Q(k,k¢)dk¢ (49)


Это есть простое интегральное уравнение для неизвестной функции gk
.


Вместо того чтобы, непосредственно решать его, сделаем феноменологическое предположение:


– ¶fk
/¶t]scatt
= gk
/t (50)


Тем самым мы вводим время релаксации
t. При выключении поля любое отклонение gk
от равновесного распределения будет затухать по закону


– ¶gk
/¶t = gk
/t, (51)


или


gk
(t) = gk
(0)e – t /
t
. (52)


Подставляя определение (50) в уравнение (49), находим


gk
= (– ¶f0
/¶E) tvk
×eE (53)


Чтобы найти электропроводность, вычислим соответствующую плотность тока


(54)


Здесь при переходе от первой строки ко второй принято во внимание, что


òf0
k
evk
(r)dk º 0,


использованы также формулы для преобразования объемного интеграла в k-пространстве в интеграл по изоэнергетическим поверхностям и по энергии.


В металле функция (– ¶f0
/¶E) ведет себя как d-функция от (E – z), поэтому остается только проинтегрировать по поверхности Ферми. Таким образом,


(55)


Сравним это выражение с обычной макроскопической формулой


J = s×E, (56)


где s – тензор. Получим


(57)


Обычно имеют дело с кристаллами кубической симметрии,при этом тензор электропроводности
сводится к скаляру, помноженному на единичный тензор. В случае, когда оба вектора E и J направлены по оси х,
подынтегральное выражение в (55) есть


(vk
vk
× E) = v2
x
E, (58)


что дает 1/3 вклада от квадрата скорости, v2
E.
Поэтому


(59)


где мы ввели длину свободного пробега


L = tv. (60)


Это есть основная формула для электропроводности.


Интересно посмотреть (фиг. 97), как выглядит функция распределения fk
, заданная выражением (7.8). Как видно из равенства (53), функция gk
велика только вблизи поверхности Ферми.



Фиг.97. а – смещенная поверхность Ферми; б – смещенное распределение Ферми.


Небольшая добавка появляется с той стороны, где vk
×eE>0, т. е. там, где электроны ускоряются полем. Та же величина вычитается с противоположной стороны.


Фактически по теореме Тейлора можно написать


(61)


Это выглядит так, как будто вся сфера Ферми сдвинулась в k-пpoстранстве на величину (et/ħ)E. Это несколько неверная интерпретация. В действительности поле не действует на состояния вблизи дна зоны, в глубине сферы Ферми. Из-за принципа Паули поле не может придать ускорения электронам в таких состояниях; по этой же причине они не рассеиваются примесью.


Отметим, однако, что электропроводность не зависит от температуры (если не считать возможной температурной зависимости t). Эта же формула справедлива при T
= 0,
когда распределение Ферми имеет совершенно четкую границу. Можно сказать, что электропроводность выражается через смещение жесткой поверхности Ферми.


Заметим также, что выражение (61) можно представить в виде


fk
= f0
(Ek
+ etvk
E), (62)


как будто к энергии электрона в состоянии k добавилась величина


dEk
= etvk
E. (63)


Это в точности соответствует классической ситуации, которая имела бы место, если бы электрон со скоростью vk
двигался в поле E в течение интервала времени t. Это замечание лежит в основе кинетического метода
решения подобных задач. Добавочная энергия, приобретаемая в промежутках между столкновениями с примесями, соответствует наличию дрейфовой скорости
dv в направлении поля; именно


dv(¶E/¶v) = evEt, (64)


или для классической частицы массы m


dv(¶E/¶v) = evEt / mv. (65)


Пусть концентрация частиц есть n, тогда полная плотность тока равна


J = nedv, (66)


и, сравнивая формулы (65), (66) и (56), находим


s = ne2
t/m. (7.33)


Легко показать, что в случае свободного электронного газа формулы (67) и (59) эквивалентны; в металле последняя формула принципиально значительно лучше. Она показывает, что электропроводность зависит только от свойств электронов на уровне Ферми, а не от полной концентрации их. Большую электропроводность металлов следует объяснять скорее наличием небольшой группы очень быстрых электронов на вершине распределения Ферми, а не высоким значением полной концентрации свободных электронов, которым можно придать небольшую дрейфовую скорость.


Основная формула (59) показывает также, что происходит, когда площадь свободной поверхности Ферми уменьшается в результате взаимодействия с границами зоны, и учитывает влияние решетки, ограничивающее эффективную скорость электронов на поверхности Ферми. Такие эффекты действительно можно наблюдать в металлах типа Bi.


С другой стороны, формула кинетической теории (67) удобна для полупроводников. При этом под п
следует понимать концентрацию свободных носителей заряда. Обычно пишут


s = n|е|m (68)


где


m = |e|t/m (69)


есть подвижность
носителей. В более общем случае считают, что электроны и дырки вносят независимые вклады в полный ток и определяют их подвижности равенством


s = nh
|е| mh
+ ne
|е| me
. (70)


Нетрудно вывести формулу (68), скажем, из (54), принимая в качестве f° классическую функцию распределения. При этом мы допускаем, что время релаксации t может зависеть от энергии; в формулу (69) надо подставить его среднее значение


(71)


где N(E) есть плотность состояний в рассматриваемой зоне. Таким образом,


me
= |e|te
/me
(7.38)


где те

эффективная масса электронов. Аналогичная формула справедлива и для дырок. Из этих формул видно, что подвижность может зависеть от температуры. С ростом T
распределение размазывается и среднее время релаксации изменяется. В случае металла то обстоятельство, что т зависит от энергии, не играет большой роли, ибо существенно только значение t (EF
).

Сохранить в соц. сетях:
Обсуждение:
comments powered by Disqus

Название реферата: Определение точного коэффициента электропроводности из точного решения кинетического уравнения

Слов:1774
Символов:14748
Размер:28.80 Кб.