МЭИ (ТУ)
Филиал в городе Смоленске
Кафедра ТОЭ
Лабораторная работа
Простые цепи синусоидального тока
Группа : ОЭС-09
Бригада : № 10 Студент: Бабурченков М. А.
Преподаватель: Зезюлькин Г. Г.
Смоленск 2010 г.
I. Краткое содержание работы
В работе исследуются соотношения между синусоидальными напряжениями и токами при последовательном и параллельном соединении резистивных, индуктивных и емкостных элементов цепи. По экспериментальным данным производится определение параметров последовательной и параллельной схем замещения реальных элементов цепи, строятся векторные диаграммы токов и напряжений. Для последовательной резонансной цепи исследуются переменные режимы при изменении индуктивности. Все расчеты и анализ экспериментальных результатов выполняются с использованием символического (комплексного) метода. Работа может выполняться на сильноточном стенде.
II. Подготовка к работе
1. U=40B
I=0,4A
f=80 град
а) последовательная схема замещения катушки.
Z=, где z – полное сопротивление.
z=(Ом)
Комплексное сопротивление Z можно представить в виде
Z=zcosf+jzsinf=R+jX
R (активное сопротивление) = zcosf = 100cos800
= 17,4 (Ом)
X (реактивное сопротивление) = zsinf = 100sin800
= 98,5 (Ом)
(A)
(B)
(B)
б) параллельная схема замещения катушки.
По определению комплексной проводимости имеем:
(См)
Комплексную проводимость можно представить в виде:
g = ycosf - активная проводимость.
b = ysinf - реактивная проводимость.
g = 0,01.
cos800
= 0,0017 (См)
b = 0,01.
sin800
= 0,0098 (См)
По закону Ома:
,
где - активная составляющая тока, - реактивная составляющая тока.
(А)
(А)
U = 40 B
R = 50 Ом
С = 160 мкФ
Z = R - Z = 50 - = 50 – 20.
j =
z = 54 (Ом)
(A)
4. (B); U=37(B
(B); Uc
=14,8(B)
5. f = 50 Гц
I = 1 A
R = 40 Ом
C = 160.
10-6
Ф
(Ом)
I = 1 A
(B)
U = 17,9 (B)
Ia
=0,447(A)
Ip
= Ip
= (A)
6. R = 40 Ом
C = 160.
10-6
Ф
Входное сопротивление цепи на частоте 50 Гц будет чисто активным при резонансе. Условием наступления резонанса в данной схеме является
,
где w0
– резонансная частота.
L0
= 15,8 (мГн)
III. Рабочее задание.
1.
рис. 1
параметр |
значение |
U |
|
I |
|
f |
А) последовательная схема замещения.
r = z·cosf =
x = z·sinf =
=
Б) параллельная схема замещения
y ==
g = y·cosφ =
b = y·sinφ =
=
=
рис. 2
параметр |
Измеренное значение |
Расчетное значение |
I |
||
UC
|
||
UR
|
||
f |
3.
рис. 3
параметр |
Измеренное значение |
Расчетное значение |
U |
||
I |
||
IR
|
||
IC
|
Xl, Ом I, A |
UR, B
|
UL, B
|
UC, B
|